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低Te等离子体应用于finFET FEOL刻蚀的挑战
本文描述了一个在晶圆区产生低温等离子体的新型等离子源(RLSATM)。低Te特性是因将晶圆区等离子与功率淀积区分离而产生的。在刻蚀......
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